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參數(shù)資料
| 型號： | IRG4BC20MD-S |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 18 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | PLASTIC, D2PAK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 2/11頁 |
| 文件大小： | 345K |
| 代理商： | IRG4BC20MD-S |
IRG4BC20MD-SPbF
10
www.irf.com
D2Pak Part Marking Information
D2Pak Package Outline
Dimensions are shown in millimeters (inches)
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Note: For the most current drawing please refer to IR website at http://www.irf.com/package/
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRG4RC20FPBF | 22 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-252AA |
| IRGDDN400M12 | 400 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| IRHF597130 | 6.7 A, 100 V, 0.24 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF |
| IRHF7110SCV | 3.5 A, 100 V, 0.69 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF |
| IRHM57064SCS | 35 A, 60 V, 0.012 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-254AA |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRG4BC20MDS_07 | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| IRG4BC20MD-SPBF | 功能描述:IGBT 晶體管 600V Fast 1-8kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IRG4BC20MD-STRL | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 11A I(C) | TO-263AB |
| IRG4BC20MD-STRR | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 11A I(C) | TO-263AB |
| IRG4BC20S | 功能描述:IGBT STD 600V 19A TO-220AB RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
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