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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IRF7506 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Power MOSFET(Vdss=-30V, Rds(on)=0.27ohm) |
| 中文描述： | 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d- 30V的，的Rds（on）\u003d 0.27ohm） |
| 文件頁數(shù)： | 8/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 103K |
| 代理商： | IRF7506 |
IRF7506
Tape & Reel Information
Micro8
Dimensions are shown in millimeters (inches)
3 30.00
(12 .99 2)
M A X.
14 .40 ( .56 6 )
12 .40 ( .48 8 )
NO TE S :
1. C O NTRO LLIN G DIM EN SIO N : M ILL IME TER .
2. O U TLINE C O NFO R MS TO E IA -481 & EIA -54 1.
FEE D D IRE CTIO N
TE RM INAL N UMB E R 1
12 .3 ( .48 4 )
11 .7 ( .46 1 )
8 .1 ( .31 8 )
7 .9 ( .31 2 )
NOTES:
1. OUTLINE CONFORMS TO EIA-481 & EIA-541.
2. CONTROLLING DIMENSION : MILLIMETER.
WORLD HEADQUARTERS:
233 Kansas St., El Segundo, California 90245, Tel: (310) 322 3331
EUROPEAN HEADQUARTERS:
Hurst Green, Oxted, Surrey RH8 9BB, UK Tel: ++ 44 1883 732020
IR CANADA:
7321 Victoria Park Ave., Suite 201, Markham, Ontario L3R 2Z8, Tel: (905) 475 1897
IR GERMANY:
Saalburgstrasse 157, 61350 Bad Homburg Tel: ++ 49 6172 96590
IR ITALY:
Via Liguria 49, 10071 Borgaro, Torino Tel: ++ 39 11 451 0111
IR FAR EAST:
K&H Bldg., 2F, 30-4 Nishi-Ikebukuro 3-Chome, Toshima-Ku, Tokyo Japan 171 Tel: 81 3 3983 0086
IR SOUTHEAST ASIA:
315 Outram Road, #10-02 Tan Boon Liat Building, Singapore 0316 Tel: 65 221 8371
http://www.irf.com/
Data and specifications subject to change without notice.
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF7507PBF | HEXFET㈢Power MOSFET |
| IRF7507 | Power MOSFET(Vdss=+-20V) |
| IRF7700 | Power MOSFET(Vdss=-20V) |
| IRF7701 | Power MOSFET(Vdss=-12V) |
| IRF7702 | Power MOSFET(Vdss=-12V) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRF7506PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 30V 1.7A 8PIN MICRO8 - Rail/Tube |
| IRF7506TR | 功能描述:MOSFET 2P-CH 30V 1.7A MICRO8 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列 系列:HEXFET® 產(chǎn)品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- FET 型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產(chǎn)品目錄頁面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:SI7948DP-T1-GE3DKR |
| IRF7506TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT DUAL PCh -30V 1.7A Micro 8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF7507 | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET DUAL NP LOGIC MICRO-8 |
| IRF7507HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:HI-REL DISCRETE - Rail/Tube |
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