參數(shù)資料
型號(hào)： IRF7506
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=-30V, Rds(on)=0.27ohm)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d- 30V的，的Rds（on）\u003d 0.27ohm）
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
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代理商： IRF7506
IRF7506
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
Fig 4.
Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
Fig 2.
Typical Output Characteristics
Fig 1.
Typical Output Characteristics
0.1
1
10
0.1
1
10
D
20μs PULSE WIDTH
T = 25°C
A
-
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
-3.0V
VGS
0.1
1
10
0.1
1
10
D
A
-
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
-3.0V
VGS
20μs PULSE WIDTH
T = 150°C
0.1
1
10
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
T = 25°C
J
T = 150°C
D
A
-
-V , Gate-to-Source Voltage (V)
V = -10V
20μs PULSE W IDTH
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
T , Junction Temperature (°C)
R
D
(
A
V = -10V
I = -1.2A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF7507PBF HEXFET㈢Power MOSFET
IRF7507 Power MOSFET(Vdss=+-20V)
IRF7700 Power MOSFET(Vdss=-20V)
IRF7701 Power MOSFET(Vdss=-12V)
IRF7702 Power MOSFET(Vdss=-12V)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF7506PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 30V 1.7A 8PIN MICRO8 - Rail/Tube
IRF7506TR 功能描述:MOSFET 2P-CH 30V 1.7A MICRO8 RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列 系列:HEXFET® 產(chǎn)品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- FET 型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱(chēng):SI7948DP-T1-GE3DKR
IRF7506TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT DUAL PCh -30V 1.7A Micro 8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7507 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET DUAL NP LOGIC MICRO-8
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