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參數(shù)資料
| 型號： | IRF7506 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Power MOSFET(Vdss=-30V, Rds(on)=0.27ohm) |
| 中文描述： | 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d- 30V的，的Rds（on）\u003d 0.27ohm） |
| 文件頁數(shù)： | 2/8頁 |
| 文件大小： | 103K |
| 代理商： | IRF7506 |
IRF7506
Parameter
Min. Typ. Max. Units
-30
–––
––– -0.039 –––
–––
–––
–––
–––
-1.0
–––
0.92
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
7.5
–––
1.3
–––
2.5
–––
9.7
–––
12
–––
19
–––
9.3
–––
180
–––
87
–––
42
Conditions
V
(BR)DSS
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
Drain-to-Source Breakdown Voltage
–––
V
V
GS
= 0V, I
D
= -250μA
Reference to 25°C, I
D
= -1mA
V
GS
= -10V, I
D
= -1.2A
V
GS
= -4.5V, I
D
= -0.60A
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250μA
V
DS
= -10V, I
D
= -0.60A
V
DS
= -24V, V
GS
= 0V
V
DS
= -24V, V
GS
= 0V, T
J
= 125°C
V
GS
= -20V
V
GS
= 20V
I
D
= -1.2A
V
DS
= -24V
V
GS
= -10V, See Fig. 6 and 9
V
DD
= -15V
I
D
= -1.2A
R
G
= 6.2
R
D
= 12
,
See Fig. 10
V
GS
= 0V
V
DS
= -25V
= 1.0MHz, See Fig. 5
V/°C
0.27
0.45
–––
–––
-1.0
-25
-100
100
11
1.9
3.7
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
V
GS(th)
g
fs
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
V
S
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
C
iss
C
oss
C
rss
nC
pF
Electrical Characteristics @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
I
GSS
μA
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
nA
ns
Notes:
Repetitive rating – pulse width limited by max. junction temperature (see fig. 11)
I
SD
≤
-1.2A, di/dt
≤
-140A/μs, V
DD
≤
V
(BR)DSS
, T
J
≤
150°C
Pulse width
≤
300μs – duty cycle
≤
2%
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= -1.2A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= -1.2A
di/dt = -100A/μs
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
–––
–––
–––
–––
30
37
-1.2
45
55
V
ns
nC
Source-Drain Ratings and Characteristics
A
-9.6
–––
–––
–––
-1.25
–––
S
D
G
Surface mounted on FR-4 board, t
≤
10sec.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF7507PBF | HEXFET㈢Power MOSFET |
| IRF7507 | Power MOSFET(Vdss=+-20V) |
| IRF7700 | Power MOSFET(Vdss=-20V) |
| IRF7701 | Power MOSFET(Vdss=-12V) |
| IRF7702 | Power MOSFET(Vdss=-12V) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRF7506PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 30V 1.7A 8PIN MICRO8 - Rail/Tube |
| IRF7506TR | 功能描述:MOSFET 2P-CH 30V 1.7A MICRO8 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列 系列:HEXFET® 產(chǎn)品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- FET 型:2 個 N 溝道（雙） FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產(chǎn)品目錄頁面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:SI7948DP-T1-GE3DKR |
| IRF7506TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT DUAL PCh -30V 1.7A Micro 8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF7507 | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET DUAL NP LOGIC MICRO-8 |
| IRF7507HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:HI-REL DISCRETE - Rail/Tube |
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