參數(shù)資料
型號(hào): IRF7316PBF
廠商: International Rectifier
英文描述: HEXFET㈢Power MOSFET
中文描述: ㈢的HEXFET功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù): 4/7頁(yè)
文件大?。?/td> 214K
代理商: IRF7316PBF
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T , Junction Temperature ( C)
R
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10V
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50
100
150
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250
300
Starting T , Junction Temperature ( C)
E
A
ID
-1.3A
-2.2A
-2.8A
TOP
BOTTOM
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20
30
A
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V = -10V
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
IRF7316QPBF 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7316QTRPBF 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7316S 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:
IRF7316TR 功能描述:MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8-SOIC RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列 系列:HEXFET® 產(chǎn)品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- FET 型:2 個(gè) N 溝道(雙) FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱(chēng):SI7948DP-T1-GE3DKR
IRF7316TRHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 8-Pin SOIC T/R