參數(shù)資料
型號： IRF7324PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET(-20V, 0.018ohm)
中文描述： HEXFET功率MOSFET（- 20V的，0.018ohm）
文件頁數(shù)： 1/8頁
文件大小： 174K
代理商： IRF7324PBF
HEXFET
Power MOSFET
IRF7324PbF
Absolute Maximum Ratings
www.irf.com
1
Thermal Resistance
Parameter Max.
Maximum Junction-to-Ambient
Units
62.5 °C/W
R
θ
JA
Parameter
Max.
-20
-9.0
-7.1
-71
2.0
1.3
Units
V
V
DS
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
A
= 70°C
Linear Derating Factor 16 mW/°C
V
GS
Gate-to-Source Voltage
± 12 V
T
J
, T
STG
Junction and Storage Temperature Range
Drain-Source Voltage
Continuous Drain Current, V
GS
@ -4.5V
Continuous Drain Current, V
GS
@ -4.5V
Pulsed Drain Current
Maximum Power Dissipation
Maximum Power Dissipation
A
W
W
-55 to + 150
°C
V
DSS
= -20V
R
DS(on)
= 0.018
New trench HEXFET
Power MOSFETs from International
Rectifier utilize advanced processing techniques to
achieve extremely low on-resistance per silicon area.
This benefit, combined with the ruggedized device design
that HEXFET power MOSFETs are well known for,
provides the designer with an extremely efficient and
reliable device for use in battery and load management
applications.
●
Trench Technology
●
Ultra Low On-Resistance
●
Dual P-Channel MOSFET
●
Low Profile (<1.1mm)
●
Available in Tape & Reel
●
2.5V Rated
●
Lead-Free
Description
D1
D1
D2
D2
G1
S2
G2
S1
Top View
8
1
2
3
4
5
6
7
SO-8
相關PDF資料
PDF描述
IRF7328PBF HEXFET㈢ Power MOSFET
IRF7329PBF HEXFET Power MOSFET
IRF7342QPBF HEXFET Power MOSFET
IRF7343IPBF HEXFET Power MOSFET
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