參數(shù)資料
型號： IRF7328PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET㈢ Power MOSFET
中文描述： ㈢的HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 1/8頁
文件大?。?/td> 177K
代理商： IRF7328PBF
HEXFET
Power MOSFET
10/7/04
IRF7328PbF
Absolute Maximum Ratings
www.irf.com
1
Thermal Resistance
Parameter
Max. Units
62.5 °C/W
R
θ
JA
Maximum Junction-to-Ambient
Parameter
Max.
-30
-8.0
-6.4
-32
2.0
1.3
Units
V
V
DS
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
A
= 70°C
Linear Derating Factor 16 mW/°C
V
GS
Gate-to-Source Voltage
± 20 V
T
J
, T
STG
Junction and Storage Temperature Range
Drain-Source Voltage
Continuous Drain Current, V
GS
@ -10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ -10V
Pulsed Drain Current
Maximum Power Dissipation
Maximum Power Dissipation
A
W
W
-55 to + 150
°C
New trench HEXFET
Power MOSFETs from
International Rectifier utilize advanced processing
techniques to achieve extremely low on-resistance
per silicon area. This benefit, combined with the
ruggedized device design that HEXFET power
MOSFETs are well known for, provides the designer
with an extremely efficient and reliable device for use
in battery and load management applications.
●
Trench Technology
●
Ultra Low On-Resistance
●
Dual P-Channel MOSFET
●
Available in Tape & Reel
●
Lead-Free
Description
PD - 95196
D1
D1
D2
D2
G1
S2
G2
S1
Top View
8
1
2
3
4
5
6
7
SO-8
V
DSS
-30V
R
DS(on)
max
21m
@V
GS
= -10V
32m
@V
GS
= -4.5V
I
D
-8.0A
-6.8A
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PDF描述
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IRF7329 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET POWER MOSFET
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