參數(shù)資料
型號(hào)： IRF7343IPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 1/10頁(yè)
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代理商： IRF7343IPBF
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PD - 96088
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF7353D1PBF FETKY⑩ MOSFET / Schottky Diode
IRF7379IPBF HEXFET㈢ Power MOSFET
IRF7379PBF HEXFET㈢ Power MOSFET
IRF7379QPBF HEXFET㈢ Power MOSFET
IRF737LCPBF HEXFET Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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IRF7343QPBF 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7343QPBF_10 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET POWER MOSFET
IRF7343QTRPBF 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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