參數(shù)資料
型號： IRF7343IPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 4/10頁
文件大小： 222K
代理商： IRF7343IPBF
4
www.irf.com
0
10
I , Drain Current (A)
20
30
40
0.040
0.060
0.080
0.100
0.120
R
D
VGS = 10V
VGS = 4.5V
!"#
"
$%""&'(
)
@
3
!
D
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
T , Junction Temperature ( C)
R
(
D
V
=
I =
GS
10V
4.7A
25
50
75
100
125
150
0
40
80
120
160
200
Starting T , Junction Temperature ( C)
E
A
ID
2.1A
3.8A
4.7A
TOP
BOTTOM
0.04
0.06
0.08
0.10
0.12
0
2
4
6
8
10
A
V , Gate-to-Source Voltage (V)
I = 4.7A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF7353D1PBF FETKY⑩ MOSFET / Schottky Diode
IRF7379IPBF HEXFET㈢ Power MOSFET
IRF7379PBF HEXFET㈢ Power MOSFET
IRF7379QPBF HEXFET㈢ Power MOSFET
IRF737LCPBF HEXFET Power MOSFET
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參數(shù)描述
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IRF7343QPBF_10 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET POWER MOSFET
IRF7343QTRPBF 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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