參數(shù)資料
型號： IRF7313QPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 5/7頁
文件大?。?/td> 248K
代理商： IRF7313QPBF
www.irf.com
5
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0.1
0.00001
1
10
100
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
Notes:
1. Duty factor D = t / t
2. Peak T =P
x Z
+ T
2
DM
thJA
A
P
t
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
T
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
0
300
600
900
1200
1
10
100
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
A
V = 0V, f = 1MHz
C = C + C , C SHORTED
C = C
C = C + C
C
iss
C
oss
C
rss
0
10
20
30
40
0
4
8
12
16
20
Q , Total Gate Charge (nC)
V
G
I =
5.8A
V
= 15V
DS
相關PDF資料
PDF描述
IRF7316PBF HEXFET㈢Power MOSFET
IRF7324PBF HEXFET Power MOSFET(-20V, 0.018ohm)
IRF7328PBF HEXFET㈢ Power MOSFET
IRF7329PBF HEXFET Power MOSFET
IRF7342QPBF HEXFET Power MOSFET
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參數(shù)描述
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IRF7313TR 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET Transistor, Matched Pair, N-Channel, SO
IRF7313TRHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-Pin SOIC T/R
IRF7313TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT DUAL NCh 30V 6.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7313TRPBF-CUT TAPE 制造商:IR 功能描述:Dual N-Channel 30 V 2 W 22 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8
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