參數(shù)資料
型號： IRF6641TRPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： DirectFET TM Power MOSFET
中文描述： 商標的DirectFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 9/9頁
文件大?。?/td> 260K
代理商： IRF6641TRPBF
www.irf.com
9
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TAC Fax: (310) 252-7903
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.
10/06
DirectFET
Tape & Reel Dimension (Showing component orientation).
MIN
7.90
3.90
11.90
5.45
5.10
6.50
1.50
1.50
CODE
A
B
C
D
E
F
G
H
MAX
8.10
4.10
12.30
5.55
5.30
6.70
N.C
1.60
MIN
0.311
0.154
0.469
0.215
0.201
0.256
0.059
0.059
MAX
0.319
0.161
0.484
0.219
0.209
0.264
N.C
0.063
DIMENSIONS
METRIC
IMPERIAL
LOADED TAPE FEED DIRECTION
STANDARD OPTION
(QTY 4800)
METRIC
MIN
330.0
20.2
12.8
1.5
100.0
N.C
12.4
11.9
CODE
A
B
C
D
E
F
G
H
MAX
N.C
N.C
13.2
N.C
N.C
18.4
14.4
15.4
MIN
12.992
0.795
0.504
0.059
3.937
N.C
0.488
0.469
MAX
N.C
N.C
0.520
N.C
N.C
0.724
0.567
0.606
IMPERIAL
TR1 OPTION
(QTY 1000)
METRIC
IMPERIAL
MIN
6.9
0.75
0.53
0.059
2.31
N.C
0.47
0.47
MAX
N.C
N.C
12.8
N.C
N.C
13.50
12.01
12.01
MIN
177.77
19.06
13.5
1.5
58.72
N.C
11.9
11.9
MAX
N.C
N.C
0.50
N.C
N.C
0.53
N.C
N.C
REEL DIMENSIONS
NOTE: Controlling dimensions in mm
Std reel quantity is 4800 parts. (ordered as IRF6641TRPBF). For 1000 parts on 7"
reel, order IRF6641TR1PBF
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IRF6644TRPBF DirectFET Power MOSFET
IRF6644 DirectFETPower MOSFET
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IRF6643TR1PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 150V 35A 35mOhm 39nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF6643TRPBF 功能描述:MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 34.5mOhms 39nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF6644 功能描述:MOSFET 100V 1 N-CH 10.3mOhm DirectFET 20V 3.7Vgs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF6644PBF 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:DirectFET Power MOSFET
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