參數(shù)資料
型號(hào)： IRF6641TRPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： DirectFET TM Power MOSFET
中文描述： 商標(biāo)的DirectFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 5/9頁
文件大?。?/td> 260K
代理商： IRF6641TRPBF
www.irf.com
5
Fig 13.
Typical Threshold Voltage vs.
Junction Temperature
Fig 12.
Maximum Drain Current vs. Ambient Temperature
Fig 10.
Typical Source-Drain Diode Forward Voltage
Fig11.
Maximum Safe Operating Area
Fig 14.
Maximum Avalanche Energy vs. Drain Current
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
VSD, Source-to-Drain Voltage (V)
0
1
10
100
IS
TJ = 150°C
TJ = 25°C
TJ = -40°C
VGS = 0V
0
1
10
100
1000
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0.01
0.1
1
10
100
1000
ID
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY RDS(on)
Tc = 25°C
Tj = 150°C
Single Pulse
100μsec
1msec
10msec
-75 -50 -25
0
25
50
75
100 125 150
TJ , Temperature ( °C )
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
TG
ID = 150μA
ID = 250μA
ID = 1.0mA
ID = 1.0A
25
50
75
100
125
150
Starting TJ , Junction Temperature (°C)
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
EA
ID
TOP
3.7A
5.7A
BOTTOM 11A
25
50
TA , Ambient Temperature (°C)
75
100
125
150
0
1
2
3
4
5
ID
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF6644PBF DirectFET Power MOSFET
IRF6644TRPBF DirectFET Power MOSFET
IRF6644 DirectFETPower MOSFET
IRF6646 DirectFET Power MOSFET
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參數(shù)描述
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IRF6643TRPBF 功能描述:MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 34.5mOhms 39nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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IRF6644PBF 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:DirectFET Power MOSFET
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