參數(shù)資料
型號(hào)： IRF1704
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)=0.004ohm, Id=170A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 40V的，的Rds（on）\u003d 0.004ohm，身份證\u003d 170A章）
文件頁(yè)數(shù)： 6/8頁(yè)
文件大小： 102K
代理商： IRF1704
IRF1704
6
www.irf.com
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
10 V
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
25
50
75
100
125
150
175
200
0
400
800
1200
1600
Starting T , Junction Temperature ( C)
E
ID
40A
77A
100A
TOP
BOTTOM
RG
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-VDD
DRIVER
A
15V
20V
GS
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF1730G Power MOSFET(Vdss=400V, Rds(on)=1.0ohm, Id=3.7A)
IRFI730G HEXFET POWER MOSFET
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IRF2204SPBF HEXFET㈢ Power MOSFET ( VDSS = 40V , RDS(on) = 3.6mヘ , ID = 170A )
IRF2805LPbF HEXFET Power MOSFET
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參數(shù)描述
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IRF1902 制造商:IRF 制造商全稱(chēng):International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=20V)
IRF1902GPBF 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF1902GTRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 20V 4.2A 85mOhm 5nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF1902PBF 功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 85mOhms 5nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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