參數(shù)資料
型號： IRF1730G
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=400V, Rds(on)=1.0ohm, Id=3.7A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d為400V，的Rds（on）\u003d 1.0ohm，身份證\u003d 3.7A）
文件頁數(shù)： 1/6頁
文件大?。?/td> 171K
代理商： IRF1730G
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFI730G HEXFET POWER MOSFET
IRF2204LPBF HEXFET㈢ Power MOSFET ( VDSS = 40V , RDS(on) = 3.6mヘ , ID = 170A )
IRF2204SPBF HEXFET㈢ Power MOSFET ( VDSS = 40V , RDS(on) = 3.6mヘ , ID = 170A )
IRF2805LPbF HEXFET Power MOSFET
IRF2805SPBF HEXFET Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF1902 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=20V)
IRF1902GPBF 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF1902GTRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 20V 4.2A 85mOhm 5nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF1902PBF 功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 85mOhms 5nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF1902TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 20V 4.2A 85mOhm 5nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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