參數(shù)資料
型號(hào)： IRF1704
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)=0.004ohm, Id=170A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 40V的，的Rds（on）\u003d 0.004ohm，身份證\u003d 170A章）
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大?。?/td> 102K
代理商： IRF1704
IRF1704
4
www.irf.com
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
1
10
100
0
2000
4000
6000
8000
10000
12000
V , Drain-to-Source Voltage (V)
C
V
C
C
C
=
=
=
=
0V,
C
C
C
ds
f = 1MHz
+ C
gd ,
+ C
C SHORTED
GS
iss
rss
oss
gs
gd
gd
C
iss
C
oss
C
rss
1
10
100
1000
0.0
0.5
V ,Source-to-Drain Voltage (V)
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
I
S
V = 0 V
T = 25 C
T = 200 C
°
10
100
D
1000
10000
1
10
100
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
Single Pulse
T
T
= 200°
= 25°
J
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
10us
100us
1ms
10ms
0
60
Q , Total Gate Charge (nC)
120
180
240
300
0
4
8
12
16
20
V
G
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE
I =
13
100A
V
= 20V
DS
V
= 32V
DS
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PDF描述
IRF1730G Power MOSFET(Vdss=400V, Rds(on)=1.0ohm, Id=3.7A)
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IRF1902PBF 功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 85mOhms 5nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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