參數資料
型號： IRF1104PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 40V , RDS(on) = 0.009ヘ , ID = 100A )
中文描述： HEXFET功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 40V的，的RDS（on）\u003d 0.009ヘ，身份證\u003d 100號A）
文件頁數： 6/9頁
文件大小： 193K
代理商： IRF1104PBF
6
www.irf.com
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
DD
DRIVER
A
15V
20V
25
50
75
100
125
150
175
0
200
400
600
800
Starting T , Junction Temperature ( C)
E
ID
24A
42A
60A
TOP
BOTTOM
相關PDF資料
PDF描述
IRF1302L Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)=4.0mohm, Id=174A)
IRF1302S Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)=4.0mohm, Id=174A)
IRF1302STRL TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 174A I(D) | TO-263AB
IRF1302STRR TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 174A I(D) | TO-263AB
IRF1310NL Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.036ohm, Id=42A)
相關代理商/技術參數
參數描述
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