參數(shù)資料
型號： IRF1104PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 40V , RDS(on) = 0.009ヘ , ID = 100A )
中文描述： HEXFET功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 40V的，的RDS（on）\u003d 0.009ヘ，身份證\u003d 100號A）
文件頁數(shù)： 4/9頁
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代理商： IRF1104PBF
4
www.irf.com
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
1
10
100
0
1000
2000
3000
4000
5000
V , Drain-to-Source Voltage (V)
C
V
C
C
C
=
=
=
=
0V,
C
C
C
ds
f = 1MHz
+ C
gd ,
+ C
C SHORTED
GS
iss
rss
oss
gs
gd
gd
C
iss
C
oss
C
rss
0.1
1
10
100
1000
0.2
0.8
1.4
2.0
2.6
V ,Source-to-Drain Voltage (V)
I
S
V = 0 V
T = 25 C
°
T = 175 C
°
1
10
100
1000
D
10000
1
10
100
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
Single Pulse
T
T
= 175°
= 25°
J
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
10us
100us
1ms
10ms
0
25
50
75
100
0
5
10
15
20
Q , Total Gate Charge (nC)
V
G
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE
I =
13
60A
V
= 20V
DS
V
= 32V
DS
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF1302L Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)=4.0mohm, Id=174A)
IRF1302S Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)=4.0mohm, Id=174A)
IRF1302STRL TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 174A I(D) | TO-263AB
IRF1302STRR TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 174A I(D) | TO-263AB
IRF1310NL Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.036ohm, Id=42A)
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參數(shù)描述
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IRF1104SHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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