參數(shù)資料
型號： IRF1104PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 40V , RDS(on) = 0.009ヘ , ID = 100A )
中文描述： HEXFET功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 40V的，的RDS（on）\u003d 0.009ヘ，身份證\u003d 100號A）
文件頁數(shù)： 2/9頁
文件大?。?/td> 193K
代理商： IRF1104PBF
2
www.irf.com
Parameter
Min. Typ. Max. Units
40
–––
–––
0.038 –––
–––
––– 0.009
2.0
–––
37
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
15
–––
114
–––
28
–––
19
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
Reference to 25°C, I
D
= 1mA
V
GS
= 10V, I
D
= 60A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 25V, I
D
= 60A
V
DS
= 40V, V
GS
= 0V
V
DS
= 32V, V
GS
= 0V, T
J
= 150°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
I
D
= 60A
V
DS
= 32V
V
GS
= 10V, See Fig. 6 and 13
V
DD
= 20V
I
D
= 60A
R
G
= 3.6
R
D
= 0.33
, See Fig. 10
Between lead,
6mm (0.25in.)
from package
and center of die contact
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz, See Fig. 5
V
(BR)DSS
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
g
fs
Forward Transconductance
Drain-to-Source Breakdown Voltage
–––
V
V/°C
V
S
4.0
–––
25
250
100
-100
93
29
30
–––
–––
–––
–––
μA
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
nA
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
nC
–––
–––
C
iss
C
oss
C
rss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
–––
–––
–––
2900 –––
1100 –––
250
pF
–––
Electrical Characteristics @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
L
S
Internal Source Inductance
–––
–––
S
D
G
I
GSS
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature. ( See fig. 11 )
I
SD
≤
60A, di/dt
≤
304A/μs, V
DD
≤
V
(BR)DSS
,
T
J
≤
175°C
Starting T
J
= 25°C, L = 194μH
R
G
= 25
, I
AS
= 60A. (See Figure 12)
Pulse width
≤
300μs; duty cycle
≤
2%.
S
D
G
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
Forward Turn-On Time
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= 60A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 60A
di/dt = 100A/μs
–––
–––
I
SM
–––
–––
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
–––
–––
–––
–––
74
188
1.3
110
280
V
ns
nC
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L
S
+L
D
)
Source-Drain Ratings and Characteristics
100
400
Caculated continuous current based on maximum allowable
junction temperature;for recommended current-handling of the
package refer to Design Tip # 93-4
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PDF描述
IRF1302L Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)=4.0mohm, Id=174A)
IRF1302S Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)=4.0mohm, Id=174A)
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IRF1302STRR TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 174A I(D) | TO-263AB
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IRF1104SHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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