參數(shù)資料
型號(hào)： IPB110N06LG
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS㈢ Power-Transistor
中文描述： 的OptiMOS㈢功率晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 4/10頁(yè)
文件大?。?/td> 448K
代理商： IPB110N06LG
IPB110N06L G IPP110N06L G
1 Power dissipation
2 Drain current
P
tot
=f(
T
C
)
I
D
=f(
T
C
);
V
GS
≥
10 V
3 Safe operating area
4 Max. transient thermal impedance
I
D
=f(
V
DS
);
T
C
=25 °C;
D
=0
Z
thJC
=f(
t
p
)
parameter:
t
p
parameter:
D
=
t
p
/
T
1 μs
10 μs
100 μs
1 ms
10 ms
DC
10
2
10
1
10
0
10
-1
10
3
10
2
10
1
10
0
10
-1
V
DS
[V]
I
D
limited by on-state
resistance
single pulse
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
10
0
10
-1
10
-2
10
-3
10
-4
10
-5
10
0
10
-1
10
-2
t
p
[s]
Z
t
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
0
50
100
150
200
T
C
[°C]
P
t
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
0
50
100
150
200
T
C
[°C]
I
D
Rev. 1.0
page 4
2006-05-04
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IPB11N03LAG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB120N06NG OptiMOS㈢ Power-Transistor
IPB13N03LB OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB14N03LAG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB160N04S2-03 OptiMOS㈢ - T Power-Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IPB110N06LGXT 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 78A 3-Pin(2+Tab) TO-263
IPB114N03L G 功能描述:MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANS 30V 30A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IPB114N03LG 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS3 Power-Transistor
IPB114N03LGXT 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 30A 3-Pin(2+Tab) TO-263
IPB11N03LA 功能描述:MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:OptiMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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