參數(shù)資料
型號： IPB110N06LG
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS㈢ Power-Transistor
中文描述： 的OptiMOS㈢功率晶體管
文件頁數(shù)： 1/10頁
文件大?。?/td> 448K
代理商： IPB110N06LG
IPB110N06L G IPP110N06L G
Opti
MOS
Power-Transistor
Features
For fast switching converters and sync. rectification
N-channel enhancement - logic level
175 °C operating temperature
Avalanche rated
Pb-free lead plating, RoHS compliant
Maximum ratings,
at
T
j
=25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol Conditions
Unit
Continuous drain current
I
D
T
C
=25 °C
78
A
T
C
=100 °C
55
Pulsed drain current
I
D,pulse
T
C
=25 °C
1)
312
Avalanche energy, single pulse
E
AS
I
D
=78 A,
R
GS
=25
280
mJ
Reverse diode d
v
/d
t
d
v
/d
t
I
D
=78 A,
V
DS
=48 V,
d
i
/d
t
=200 A/μs,
T
j,max
=175 °C
6
kV/μs
Gate source voltage
V
GS
±20
V
Power dissipation
P
tot
T
C
=25 °C
158
W
Operating and storage temperature
T
j
,
T
stg
-55 ... 175
°C
IEC climatic category; DIN IEC 68-1
55/175/56
Value
1)
See figure 3
V
DS
60
V
R
DS(on),max SMD version
11
m
I
D
78
A
Product Summary
Type
Package
Marking
IPB110N06L G
Package
PG-P-TO263-3-2
110N06L
PG-TO220-3-1
IPP110N06L G
Marking
110P-TO220-3-1
1110N06L
Type
IPB110N06L G
IPP110N06L G
Rev. 1.0
page 1
2006-05-04
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IPB11N03LAG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB120N06NG OptiMOS㈢ Power-Transistor
IPB13N03LB OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB14N03LAG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB160N04S2-03 OptiMOS㈢ - T Power-Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IPB110N06LGXT 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 78A 3-Pin(2+Tab) TO-263
IPB114N03L G 功能描述:MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANS 30V 30A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IPB114N03LG 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS3 Power-Transistor
IPB114N03LGXT 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 30A 3-Pin(2+Tab) TO-263
IPB11N03LA 功能描述:MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:OptiMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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