參數(shù)資料
型號： IPB080N06NG
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS㈢ Power-Transistor
中文描述： 的OptiMOS㈢功率晶體管
文件頁數(shù)： 8/10頁
文件大?。?/td> 446K
代理商： IPB080N06NG
IPB080N06N G IPP080N06N G
PG-TO-263 (D2-Pak)
PG-TO-263 (D2-Pak)
Rev. 1.01
page 8
2006-05-02
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IPB091N06NG OptiMOS㈢ Power-Transistor
IPB10N03LB OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB110N06LG OptiMOS㈢ Power-Transistor
IPB11N03LAG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB120N06NG OptiMOS㈢ Power-Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IPB080N06NG_10 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS? Power-Transistor Features Low gate charge for fast switching applications
IPB080N06NGATMA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 60V 80A TO-263
IPB080N06NGXT 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) TO-263
IPB081N06L3 G 功能描述:MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANST 60V 50A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IPB081N06L3G 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
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