參數資料
型號： IPB080N06NG
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS㈢ Power-Transistor
中文描述： 的OptiMOS㈢功率晶體管
文件頁數： 5/10頁
文件大?。?/td> 446K
代理商： IPB080N06NG
IPB080N06N G IPP080N06N G
5 Typ. output characteristics
6 Typ. drain-source on resistance
I
D
=f(
V
DS
);
T
j
=25 °C
R
DS(on)
=f(
I
D
);
T
j
=25 °C
parameter:
V
GS
parameter:
V
GS
7 Typ. transfer characteristics
8 Typ. forward transconductance
I
D
=f(
V
GS
); |
V
DS
|>2|
I
D
|
R
DS(on)max
g
fs
=f(
I
D
);
T
j
=25 °C
parameter:
T
j
7 V
6 V
5.5 V
5 V
6.5 V
10 V
20 V
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
0
20
40
60
80
100
120
I
D
[A]
R
D
]
25 °C
175 °C
0
20
40
60
80
100
120
140
0
1
2
3
4
5
6
7
V
GS
[V]
I
D
0
20
40
60
80
100
0
20
40
60
80
I
D
[A]
g
f
7 V
6 V
6.5 V
5.5V
5 V
10 V
20 V
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
220
240
0
1
2
3
4
5
V
DS
[V]
I
D
Rev. 1.01
page 5
2006-05-02
相關PDF資料
PDF描述
IPB091N06NG OptiMOS㈢ Power-Transistor
IPB10N03LB OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB110N06LG OptiMOS㈢ Power-Transistor
IPB11N03LAG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB120N06NG OptiMOS㈢ Power-Transistor
相關代理商/技術參數
參數描述
IPB080N06NG_10 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS? Power-Transistor Features Low gate charge for fast switching applications
IPB080N06NGATMA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 60V 80A TO-263
IPB080N06NGXT 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) TO-263
IPB081N06L3 G 功能描述:MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANST 60V 50A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IPB081N06L3G 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
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