參數(shù)資料
型號： IDT7034L20PF8
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： SRAM
英文描述： 4K X 18 DUAL-PORT SRAM, 20 ns, PQFP100
封裝： 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100
文件頁數(shù)： 17/19頁
文件大?。?/td> 167K
代理商： IDT7034L20PF8
6.42
IDT7034S/L
High-Speed 4K x 18 Dual-Port Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
7
AC Electrical Characteristics Over the
Operating Temperature and Supply Voltage Range(4)
NOTES:
1. Transition is measured 0mV from Low or High-impedance voltage with Output Test Load (Figure 2).
2.
This parameter is guaranteed by device characterization, but is not production tested.
3.
To access RAM,
CE = VIL, UB or LB = VIL, and SEM = VIH. To access semaphore, CE = VIH or UB & LB = VIH, and SEM = VIL.
4. 'X' in part numbers indicates power rating (S or L).
NOTES:
1. Timing depends on which signal is asserted last,
OE, CE, LB, or UB.
2. Timing depends on which signal is de-asserted first,
CE, OE, LB, or UB.
3. tBDD delay is required only in case where opposite port is completing a write operation to the same address location for simultaneous read operations
BUSY has no
relation to valid output data.
4. Start of valid data depends on which timing becomes effective last
tABE, tAOE, tACE, tAA or tBDD.
5. SEM = VIH.
Waveform of Read Cycles(5)
7034X15
Com'l Only
7034X20
Com'l & Ind
Unit
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
READ CYCLE
tRC
Read Cycle Time
15
____
20
____
ns
tAA
Address Access Time
____
15
____
20
ns
tACE
Chip Enable Access Time(3)
____
15
____
20
ns
tABE
Byte Enable Access Time(3)
____
15
____
20
ns
tAOE
Output Enable Access Time
____
10
____
12
ns
tOH
Output Hold from Address Change
3
____
3
____
ns
tLZ
Output Low-Z Time(1,2)
3
____
3
____
ns
tHZ
Output High-Z Time(1,2)
____
10
____
12
ns
tPU
Chip Enable to Power Up Time (2)
0
____
0
____
ns
tPD
Chip Disable to Power Down Time(2)
____
15
____
20
ns
tSOP
Semaphore Flag Update Pulse (
OE or SEM)10
____
10
____
ns
tSAA
Semaphore Address Access Time
____
15
____
20
ns
4089 tbl 12
tRC
R/
W
CE
ADDR
tAA
OE
UB, LB
4089 drw 05
(4)
tACE
(4)
tAOE
(4)
tABE
(4)
(1)
tLZ
tOH
(2)
tHZ
(3,4)
tBDD
DATAOUT
BUSYOUT
VALID DATA
(4)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT709199L12PFG 128K X 9 DUAL-PORT SRAM, 25 ns, PQFP100
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IDT71256L35PI 32K X 8 STANDARD SRAM, 35 ns, PDIP28
IDT7140SA25PFG HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM
7140LA25PFG 1K X 8 DUAL-PORT SRAM, 25 ns, PQFP64
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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IDT7034L20PFI8 功能描述:IC SRAM 72KBIT 20NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:71V67703S75PFGI
IDT7034S15PF 功能描述:IC SRAM 72KBIT 15NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:45 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF
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