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參數資料
| 型號： | HY5V52CLF-6 |
| 廠商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 8M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PBGA90 |
| 封裝： | 0.80 MM PITCH, FBGA-90 |
| 文件頁數： | 9/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 161K |
| 代理商： | HY5V52CLF-6 |
Rev. 0.7 / Dec. 2003
6
HY5V52CF
CAPACITANCE (TA=25°C, f=1MHz, VDD=3.3V)
OUTPUT LOAD CIRCUIT
DC CHARACTERISTICS I (DC operating conditions unless otherwise noted)
Note :
1.VIN = 0 to 3.6V, All other pins are not under test = 0V
2.DOUT is disabled, VOUT=0 to 3.6V
Parameter
Pin
Symbol
Min
Max
Unit
Input capacitance
CLK
CI1
5.0
7.0
pF
A0 ~ A11, BA0, BA1, CKE, CS, RAS, CAS, WE
CI2
5.0
8.0
pF
DQM0~3
CI3
2.5
5.0
pF
Data input / output capacitance
DQ0 ~ DQ31
CI/O
4.0
6.5
pF
Parameter
Symbol
Min.
Max
Unit
Note
Input leakage current
ILI
-1
1
uA
1
Output leakage current
ILO
-1
1
uA
2
Output high voltage
VOH
2.4
-
V
IOH = -2mA
Output low voltage
VOL
-0.4
V
IOL = +2mA
Vtt=1.4V
RT=500
30pF
Output
DC Output Load Circuit
AC Output Load Circuit
Vtt=1.4V
RT=50
30pF
Output
Z0 = 50
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY5V52EMP-H | 8M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PBGA90 |
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| HY62256ALLR1-85 | x8 SRAM |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| HY5V52F | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4Banks x 2M x 32bits Synchronous DRAM |
| HY5V52F-H | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4Banks x 2M x 32bits Synchronous DRAM |
| HY5V52F-P | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4Banks x 2M x 32bits Synchronous DRAM |
| HY5V52FP-H | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4Banks x 2M x 32bits Synchronous DRAM |
| HY5V52FP-P | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4Banks x 2M x 32bits Synchronous DRAM |
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