參數(shù)資料
型號： HY57V641620HGLT-KI
廠商： HYNIX SEMICONDUCTOR INC
元件分類： DRAM
英文描述： 4 Banks x 1M x 16Bit Synchronous DRAM
中文描述： 4M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54
封裝： 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54
文件頁數(shù)： 5/12頁
文件大?。?/td> 145K
代理商： HY57V641620HGLT-KI
HY57V641620HG
Rev. 1.0/Jan. 02
5
CAPACITANCE
(TA=25
°
C
, f=1MHz)
OUTPUT LOAD CIRCUIT
DC CHARACTERISTICS I
(TA= -40 to 85
°
C
, V
DD
=3.3
±
0.3V
Note3
)
Note :
1.V
IN
= 0 to 3.6V, All other pins are not tested under V
IN
=0V
2.D
OUT
is disabled, V
OUT
=0 to 3.6
Parameter
Pin
Symbol
Min
Max
Unit
Input capacitance
CLK
C
I1
2
4
pF
A0 ~ A11, BA0, BA1, CKE, CS, RAS,
CAS, WE, UDQM, LDQM
CI
2
2.5
5
pF
Data input / output capacitance
DQ0 ~ DQ15
C
I/O
2
6.5
pF
Parameter
Symbol
Min.
Max
Unit
Note
Input Leakage Current
I
LI
-1
1
uA
1
Output Leakage Current
I
LO
-1
1
uA
2
Output High Voltage
V
OH
2.4
-
V
I
OH
= -4mA
Output Low Voltage
V
OL
-
0.4
V
I
OL
= +4mA
Vtt=1.4V
RT=250
50pF
Output
50pF
Output
DC Output Load Circuit
AC Output Load Circuit
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HY57V641620HGLT-PI Ceramic Multilayer Capacitor; Capacitance:10000pF; Capacitance Tolerance:+/- 10 %; Working Voltage, DC:50V; Dielectric Characteristic:X7R; Package/Case:0805; Series:MLCC; Dielectric Material:Ceramic; Leaded Process Compatible:Yes
HY57V641620HGLT-SI CAP 0.01UF 50V 10% X7R SMD-0805 TR-13 PLATED-NI/SN
HY57V641620HGT-KI 4 Banks x 1M x 16Bit Synchronous DRAM
HY57V641620HGT-HI 4 Banks x 1M x 16Bit Synchronous DRAM
HY57V643220CT-47 4 Banks x 512K x 32Bit Synchronous DRAM
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參數(shù)描述
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