參數(shù)資料
型號(hào)： HY57V641620HGLT-KI
廠商： HYNIX SEMICONDUCTOR INC
元件分類(lèi)： DRAM
英文描述： 4 Banks x 1M x 16Bit Synchronous DRAM
中文描述： 4M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54
封裝： 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54
文件頁(yè)數(shù)： 3/12頁(yè)
文件大?。?/td> 145K
代理商： HY57V641620HGLT-KI
HY57V641620HG
Rev. 1.0/Jan. 02
3
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM
1Mbit x 4banks x 16 I/O Synchronous DRAM
X
S
A0
A1
A11
BA0
BA1
A
Address
Registers
Mode Registers
Row
Pre
Decoders
Column
Pre
Decoders
Column Add
Counter
Row active
Column
Active
Burst
Counter
Data Out Control
CAS Latency
Internal Row
counter
DQ0
DQ1
DQ14
DQ15
refresh
Self refresh logic
& timer
Pipe Line Control
I
Bank Select
S
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
UDQM
LDQM
1Mx16 Bank 3
X
X
Memory
Cell
Array
Y decoders
X
1Mx16 Bank 0
1Mx16 Bank 1
1Mx16 Bank 2
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PDF描述
HY57V641620HGLT-PI Ceramic Multilayer Capacitor; Capacitance:10000pF; Capacitance Tolerance:+/- 10 %; Working Voltage, DC:50V; Dielectric Characteristic:X7R; Package/Case:0805; Series:MLCC; Dielectric Material:Ceramic; Leaded Process Compatible:Yes
HY57V641620HGLT-SI CAP 0.01UF 50V 10% X7R SMD-0805 TR-13 PLATED-NI/SN
HY57V641620HGT-KI 4 Banks x 1M x 16Bit Synchronous DRAM
HY57V641620HGT-HI 4 Banks x 1M x 16Bit Synchronous DRAM
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