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參數(shù)資料
| 型號： | HM65W8512 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | 4 M PSRAM (512-kword ×8-bit)(4 M PSRAM (512k字 ×8位)) |
| 中文描述： | 4個M移動存儲芯片（512 KWord的× 8位）（4個M移動存儲芯片（為512k字× 8位）） |
| 文件頁數(shù)： | 8/20頁 |
| 文件大小： | 160K |
| 代理商： | HM65W8512 |
HM65W8512 Series
8
DC Characteristics
(Ta = 0 to +70
°
C, V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V, V
SS
= 0 V)
Parameter
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
Operating power supply current I
CC1
—
30
50
mA
I
I/O
= 0 mA
t
cyc
= min
CE
= V
, Vin
≥
0 V
OE
/
RFSH
= V
IH
CE
≥
V
– 0.2 V, Vin
≥
0 V,
OE
/
RFSH
≥
V
CC
– 0.2 V
CE
= V
, Vin
≥
0 V,
OE
/
RFSH
= V
IL
CE
≥
V
– 0.2 V, Vin
≥
0 V,
OE
/
RFSH
≤
0.2 V
Standby power supply current
I
SB1
—
—
0.8
mA
I
SB2
—
15
30
μ
A
Operating power supply current
in self refresh mode
I
CC2
—
—
0.8
mA
I
CC3
—
25
50
μ
A
Input leakage current
I
LI
I
LO
–5
—
5
μ
A
μ
A
V
CC
= 3.6 V, Vin = V
SS
to V
CC
OE
/
RFSH
= V
IH
V
I/O
= V
SS
to V
CC
I
OL
= 100
μ
A
I
OL
= 2 mA
I
OH
= –100
μ
A
I
OH
= –2 mA
Output leakage current
–5
—
5
Output voltage
V
OL
—
—
—
—
0.1
0.4
V
V
V
OH
2.9
2.4
—
—
—
—
V
V
Capacitance
(Ta = 25
°
C, f = 1 MHz)
Parameter
Symbol
Typ
Max
Unit
Test conditions
Input capacitance*
1
C
in
C
I/O
—
8
pF
V
in
= 0 V
V
I/O
= 0 V
Input /output capacitance*
1
Note : This parameter is sampled and not 100% tested.
—
10
pF
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| HM6630100 | Miniature Low Profile, Shielded Surface Mount Inductors |
| HM6610100 | Miniature Low Profile, Shielded Surface Mount Inductors |
| HM6620100 | 50000 SYSTEM GATE 2.5 VOLT FPGA - NOT RECOMMENDED for NEW DESIGN |
| HM6640100 | Miniature Low Profile, Shielded Surface Mount Inductors |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HM65W8512DFP-12 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Pseudo-Static RAM |
| HM65W8512DFP-15 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Pseudo-Static RAM |
| HM65W8512DRR-12 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Pseudo-Static RAM |
| HM65W8512DRR-15 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Pseudo-Static RAM |
| HM65W8512DTT-12 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Pseudo-Static RAM |
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