參數(shù)資料
型號(hào)： HM65W8512
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： 4 M PSRAM (512-kword ×8-bit)(4 M PSRAM (512k字 ×8位))
中文描述： 4個(gè)M移動(dòng)存儲(chǔ)芯片（512 KWord的× 8位）（4個(gè)M移動(dòng)存儲(chǔ)芯片（為512k字× 8位））
文件頁(yè)數(shù)： 16/20頁(yè)
文件大?。?/td> 160K
代理商： HM65W8512
HM65W8512 Series
16
Low V
CC
Data Retention Characteristics
(Ta = 0 to +70
°
C)
This characteristics is guaranteed only for V-version.
Parameter
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
V
CC
for data retention
Self refresh current
V
DR
I
CCDR
2.0
—
3.6
V
—
—
25
μ
A
V
CC
= 2.0 V,
CE
≥
V
– 0.2 V
OE
/
RFSH
≤
0.2
Vin
≥
0 V
—
—
50
μ
A
V
CC
= 3.6 V,
CE
≥
V
– 0.2 V
OE
/
RFSH
≤
0.2
Vin
≥
0 V
Refresh setup time
t
FS
t
FR
0
—
—
ns
Operation recovery time
5
—
—
ms
Low V
CC
Data Retention Timing Waveform
Data Retention mode
DR
FAS
FS
FR
RFS
t
FP
3.0V
1.5V
1.5V
V
CE
OE/RFSH
CE
Vcc-0.2V
OE/RFSH
0.2V
CC
RFD
t
t
t
t
t
(in read/
write mode)
V
F
t
R
t
(in automatic
refresh mode)
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PDF描述
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