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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HCMOS |
| 廠(chǎng)商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 英文描述： | Small Signal Bipolar Transistor; Collector Emitter Voltage, Vceo:100V; Transistor Polarity:N Channel; C-E Breakdown Voltage:100V; DC Current Gain Min (hfe):30; Package/Case:R245; Collector Base Voltage:120V |
| 中文描述： | HCMOS家庭特征 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 7/19頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 87K |
| 代理商： | HCMOS |
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March 1988
7
Philips Semiconductors
HCMOS family characteristics
FAMILY SPECIFICATIONS
DC CHARACTERISTICS FOR 74HCU
Voltages are referenced to GND (ground = 0 V)
SYMBOL
PARAMETER
T
amb
(
°
C)
UNIT
TEST CONDITIONS
74HCU
V
CC
(V)
V
I
OTHER
+
25
40 to
+
85
40 to
+
125
min. typ. max. min.
max. min.
max.
V
IH
HIGH level input
voltage
1.7
3.6
4.8
1.4
2.6
3.4
0.6
1.9
2.6
2.0
4.5
6.0
1.7
3.6
4.8
1.7
3.6
4.8
V
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
4.5
6.0
V
IL
LOW level input
voltage
0.3
0.9
1.2
0.3
0.9
1.2
0.3
0.9
1.2
V
V
OH
HIGH level output
voltage
1.8
4.0
5.5
3.98 4.32
5.48 5.81
1.8
4.0
5.5
3.84
5.34
1.8
4.0
5.5
3.7
5.2
V
V
IH
or
V
IL
I
O
= 20
μ
A
I
O
= 20
μ
A
I
O
= 20
μ
A
I
O
= 4.0 mA
I
O
= 5.2 mA
V
OH
HIGH level output
voltage
V
V
CC
or
GND
V
IH
or
V
IL
V
OL
LOW level output
voltage
0
0
0
0.15 0.26
0.16 0.26
0.2
0.5
0.5
0.2
0.5
0.5
0.33
0.33
0.2
0.5
0.5
0.4
0.4
V
2.0
4.5
6.0
4.5
6.0
I
O
= 20
μ
A
I
O
= 20
μ
A
I
O
= 20
μ
A
I
O
= 4.0 mA
I
O
= 5.2 mA
V
OL
LOW level output
voltage
V
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
±
I
I
input leakage current
0.1
1.0
1.0
μ
A
6.0
I
CC
quiescent supply
current SSI
2.0
20.0
40.0
μ
A
6.0
I
O
= 0
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