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參數(shù)資料
| 型號： | HCMOS |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 英文描述： | Small Signal Bipolar Transistor; Collector Emitter Voltage, Vceo:100V; Transistor Polarity:N Channel; C-E Breakdown Voltage:100V; DC Current Gain Min (hfe):30; Package/Case:R245; Collector Base Voltage:120V |
| 中文描述： | HCMOS家庭特征 |
| 文件頁數(shù)： | 4/19頁 |
| 文件大?。?/td> | 87K |
| 代理商： | HCMOS |
March 1988
4
Philips Semiconductors
HCMOS family characteristics
FAMILY SPECIFICATIONS
DC CHARACTERISTICS FOR 74HC
Voltages are referenced to GND (ground = 0 V)
SYMBOL PARAMETER
T
amb
(
°
C)
UNIT
TEST CONDITIONS
74HC
V
CC
(V)
V
I
OTHER
+
25
40 to
+
85
40 to
+
125
min. typ. max. min.
max. min.
max.
V
IH
HIGH level input
voltage
1.5
3.15 2.4
4.2
1.2
1.5
3.15
4.2
1.5
3.15
4.2
V
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
4.5
6.0
3.2
0.8
2.1
2.8
2.0
4.5
6.0
V
IL
LOW level input
voltage
0.5
1.35
1.8
0.5
1.35
1.8
0.5
1.35
1.8
V
V
OH
HIGH level output
voltage
all outputs
1.9
4.4
5.9
3.98 4.32
5.48 5.81
1.9
4.4
5.9
3.84
5.34
1.9
4.4
5.9
3.7
5.2
V
V
IH
or
V
IL
I
O
= 20
μ
A
I
O
= 20
μ
A
I
O
= 20
μ
A
I
O
= 4.0 mA
I
O
= 5.2 mA
V
OH
HIGH level output
voltage
standard outputs
HIGH level output
voltage
bus driver outputs
LOW level output
voltage
all outputs
V
V
IH
or
V
IL
V
IH
or
V
IL
V
IH
or
V
IL
V
OH
3.98 4.32
5.48 5.81
3.84
5.34
3.7
5.2
V
4.5
6.0
I
O
= 6.0 mA
I
O
= 7.8 mA
V
OL
0
0
0
0.15 0.26
0.16 0.26
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
V
2.0
4.5
6.0
4.5
6.0
I
O
= 20
μ
A
I
O
= 20
μ
A
I
O
= 20
μ
A
I
O
= 4.0 mA
I
O
= 5.2 mA
V
OL
LOW level output
voltage
standard outputs
LOW level output
voltage
bus driver outputs
input leakage current
V
V
IH
or
V
IL
V
IH
or
V
IL
V
CC
or
GND
V
IH
or
V
IL
V
OL
0.15 0.26
0.16 0.26
0.33
0.33
0.4
0.4
V
4.5
6.0
I
O
= 6.0 mA
I
O
= 7.8 mA
±
I
I
0.1
1.0
1.0
μ
A
6.0
±
I
OZ
3-state OFF-state
current
0.5
5.0
10.0
μ
A
6.0
V
O
= V
CC
or GND
I
CC
quiescent supply
current
SSI
flip-flops
MSI
LSI
2.0
4.0
8.0
50.0
20.0
40.0
80.0
500
40.0
80.0
160.0
1000
μ
A
6.0
6.0
6.0
6.0
V
CC
or
GND
I
O
= 0
I
O
= 0
I
O
= 0
I
O
= 0
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