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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GS8180S36 |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 英文描述： | 512K x 36Bit Separate I/O Sigma DDR SRAM(512K x 36位獨(dú)立I/O接口雙數(shù)據(jù)速率讀和寫模式靜態(tài)ΣRAM) |
| 中文描述： | 為512k × 36Bit分離I / O西格瑪?shù)腄DR SRAM的（為512k × 36位獨(dú)立的I / O接口雙數(shù)據(jù)速率讀和寫模式靜態(tài)ΣRAM） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/32頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 853K |
| 代理商： | GS8180S36 |
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Rev: 1.01 11/2000
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
2/32
2000, Giga Semiconductor, Inc.
A
Advanced Information
GS8180S09/18/36B-333/300/275/250
8180S36 Pinout
512K x 36 Separate I/O—Top View
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
A
Dc1
Dc2
A
E2
A
(16M)
MCL
A
(8M)
E3
A
Qb1
Qb2
B
Dc3
Dc4
MCL
NC
A
W
A
MCL
NC
Qb3
Qb4
C
Dc5
Dc6
NC
MCL
NC
(128M)
E1
NC
NC
MCL
Qb5
Qb6
D
Dc7
Dc8
V
SS
NC
NC
MCL
NC
NC
V
SS
Qb7
Qb8
E
Dc9
Qc1
V
DDQ
V
DDQ
V
DD
V
DD
V
DD
V
DDQ
V
DDQ
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Qc2
V
SS
V
SS
V
SS
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V
SS
V
SS
V
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Db2
Db3
G
Qc5
Qc4
V
DDQ
V
DDQ
V
DD
EP2
V
DD
V
DDQ
V
DDQ
Db4
Db5
H
Qc7
Qc6
V
SS
V
SS
V
SS
EP3
V
SS
V
SS
V
SS
Db6
Db7
J
Qc9
Qc8
V
DDQ
V
DDQ
V
DD
M4
V
DD
V
DDQ
V
DDQ
Db8
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K
CQ2
CQ2
CK
NC
V
SS
MCL
V
SS
NC
NC
CQ1
CQ1
L
Dd9
Dd8
V
DDQ
V
DDQ
V
DD
M2
V
DD
V
DDQ
V
DDQ
Qa8
Qa9
M
Dd7
Dd6
V
SS
V
SS
V
SS
M3
V
SS
V
SS
V
SS
Qa6
Qa7
N
Dd5
Dd4
V
DDQ
V
DDQ
V
DD
MCH
V
DD
V
DDQ
V
DDQ
Qa4
Qa5
P
Dd3
Dd2
V
SS
V
SS
V
SS
MCL
V
SS
V
SS
V
SS
Qa2
Qa3
R
Qd9
Dd1
V
DDQ
V
DDQ
V
DD
V
DD
V
DD
V
DDQ
V
DDQ
Qa1
Da9
T
Qd7
Qd8
V
SS
NC
NC
MCL
NC
NC
V
SS
Da8
Da7
U
Qd5
Qd6
NC
A
NC
(64M)
A
NC
(32M)
A
NC
Da6
Da5
V
Qd3
Qd4
A
(2M)
A
A
A1
A
A
A
(4M)
Da4
Da3
W
Qd1
Qd2
TMS
TDI
A
MCL
A
TDO
TCK
Da2
Da1
Rev 10
11 x 19 Bump BGA—14 x 22 mm2 Body—1 mm Bump Pitch—MS-028vBC
Note:
Users of CMOS I/O Sigma RAMs may wish to connect D4, D8, T4, T8 and K4 to V
DDQ
/2 to allow alternate use of HSTL
I/O Sigma RAMs.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS8180S18 | 1Mb x 18Bit Separate I/O Sigma DDR SRAM(1M x 18位獨(dú)立I/O接口雙數(shù)據(jù)速率讀和寫模式靜態(tài)ΣRAM) |
| GS8180S09 | 2Mb x 9Bit Separate I/O Sigma DDR SRAM(2M x 9位獨(dú)立I/O接口雙數(shù)據(jù)速率讀和寫模式靜態(tài)ΣRAM) |
| GS820322T-138 | 64K x 32 2M Synchronous Burst SRAM |
| GS82032Q-100 | 64K x 32 2M Synchronous Burst SRAM |
| GS82032Q-117 | 64K x 32 2M Synchronous Burst SRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| GS8182D08BD-167 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 1.8V 16MBIT 2MX8 0.5NS 165FPBGA - Trays |
| GS8182D08BD-250 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 1.8V 16MBIT 2MX8 0.45NS 165FPBGA - Trays |
| GS8182D08BD-375 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 1.8V 16MBIT 2MX8 0.45NS 165FPBGA - Trays |
| GS8182D09BD-400 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 1.8V 18MBIT 2M X 9 0.45NS 165FPBGA - Trays |
| GS8182D18BD-167 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 1.8V 18MBIT 1MX18 0.5NS 165FPBGA - Trays |
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