參數(shù)資料
型號(hào)： FP25R12KE3V1
英文描述： IGBT Module
中文描述： IGBT模塊
文件頁(yè)數(shù)： 9/11頁(yè)
文件大?。?/td> 99K
代理商： FP25R12KE3V1
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FP25R12KE3
I
C
V
CE
[V]
I
F
V
F
[V]
0
5
10
15
20
25
30
0
0,5
1
1,5
2
2,5
3
3,5
4
4,5
5
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Durchlakennlinie der Brems-Chopper-Diode (typisch)
I
F
= f (V
F
)
Forward characteristic of brake-chopper-FWD (typical)
Ausgangskennlinienfeld Brems-Chopper-IGBT (typisch)
I
C
= f (V
CE
)
Output characteristic brake-chopper-IGBT (typical)
V
GE
= 15 V
0
5
10
15
20
25
30
0
0,5
1
1,5
2
2,5
3
3,5
4
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
9(11)
DB-PIM-IGBT3_2Serie.xls
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FP25R12KS4CV2 IGBT Module
FP30D250E Industrial Control IC
FP30L100E Industrial Control IC
FP3W90HVX2 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-247AC
FP4050 2-WATT POWER PHEMT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FP25R12KS4C 功能描述:IGBT 晶體管 1200V 25A PIM RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
FP25R12KS4CV2 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:IGBT Module
FP25R12KT3 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 40A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FP25R12KT4 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 1200V 25A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FP25R12KT4_B15 功能描述:IGBT 模塊 IGBT Module 25A 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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