參數(shù)資料
型號： FP25R12KE3V1
英文描述： IGBT Module
中文描述： IGBT模塊
文件頁數(shù)： 8/11頁
文件大小： 99K
代理商： FP25R12KE3V1
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FP25R12KE3
Z
t
t [s]
I
C
V
CE
[V]
Transienter Wrmewiderstand Wechselr. Z
thJC
= f (t)
Transient thermal impedance Inverter
0,01
0,1
1
10
0,001
0,01
0,1
1
10
Zth-IGBT
Zth-FWD
0
10
20
30
40
50
60
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
IC,Modul
IC,Chip
Ri und ti-Werte siehe S. 4
Ri and ti-Values see P. 4
Sicherer Arbeitsbereich IGBT-Wechselr. (RBSOA)
Reverse bias save operating area (RBSOA)
V
GE
= 15V, T
j
= 125°C
8(11)
DB-PIM-IGBT3_2Serie.xls
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FP25R12KS4CV2 IGBT Module
FP30D250E Industrial Control IC
FP30L100E Industrial Control IC
FP3W90HVX2 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-247AC
FP4050 2-WATT POWER PHEMT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FP25R12KS4C 功能描述:IGBT 晶體管 1200V 25A PIM RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
FP25R12KS4CV2 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:IGBT Module
FP25R12KT3 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 40A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FP25R12KT4 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 1200V 25A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FP25R12KT4_B15 功能描述:IGBT 模塊 IGBT Module 25A 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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