參數(shù)資料
型號: FP25R12KE3V1
英文描述: IGBT Module
中文描述: IGBT模塊
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代理商: FP25R12KE3V1
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FP25R12KE3
600 V
36 Ohm
E
I
C
[A]
600 V
E
R
G
[
]
Schaltverluste Wechselr. (typisch)
E
on
= f (I
C
), E
off
= f (I
C
), E
rec
= f (I
C
)
V
CC
=
Switching losses Inverter (typical)
T
j
= 125°C, V
GE
= ±15 V, R
Gon
= R
Goff
=
0
2
4
6
8
10
12
0
10
20
30
40
50
60
Eon
Eoff
Erec
0
0,5
1
1,5
2
2,5
3
3,5
4
4,5
5
0
10
20
30
40
50
60
70
Eon
Eoff
Erec
Schaltverluste Wechselr. (typisch)
E
on
= f (R
G
), E
off
= f (R
G
), E
rec
= f (R
G
)
Switching losses Inverter (typical)
T
j
= 125°C, V
GE
= +-15 V , I
c
= I
nenn
, V
CC
=
7(11)
DB-PIM-IGBT3_2Serie.xls
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FP25R12KS4CV2 IGBT Module
FP30D250E Industrial Control IC
FP30L100E Industrial Control IC
FP3W90HVX2 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-247AC
FP4050 2-WATT POWER PHEMT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FP25R12KS4C 功能描述:IGBT 晶體管 1200V 25A PIM RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
FP25R12KS4CV2 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:IGBT Module
FP25R12KT3 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 40A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FP25R12KT4 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 1200V 25A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FP25R12KT4_B15 功能描述:IGBT 模塊 IGBT Module 25A 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: