參數(shù)資料
型號(hào)： FP25R12KE3V1
英文描述： IGBT Module
中文描述： IGBT模塊
文件頁(yè)數(shù)： 4/11頁(yè)
文件大小： 99K
代理商： FP25R12KE3V1
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FP25R12KE3
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
min.
typ.
max.
Innerer Wrmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Gleichr. Diode/ Rectif. Diode
Trans. Wechsr./ Trans. Inverter
Diode Wechsr./ Diode Inverter
Trans. Bremse/ Trans. Brake
Diode Bremse/ Diode Brake
Gleichr. Diode/ Rectif. Diode
Trans. Wechsr./ Trans. Inverter
Diode Wechsr./ Diode Inverter
R
thJC
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1
K/W
K/W
K/W
K/W
K/W
K/W
K/W
K/W
0,8
1,35
1,2
2,3
-
-
-
übergangs-Wrmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
λ
Paste
=1W/m*K
R
thCK
0,08
0,04
0,08
λ
grease
=1W/m*K
Hchstzulssige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
T
vj
-
-
150
°C
Betriebstemperatur
operation temperature
T
op
-40
-
125
°C
Lagertemperatur
storage temperature
T
stg
-40
-
125
°C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Innere Isolation
internal insulation
Al
2
O
3
CTI
comperative tracking index
225
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung
mounting torque
Schraube M 5
screw M 5
M
3
-
6
Nm
Gewicht
weight
G
180
g
Luftstrecke
clearance
Pin-Erde
Pin-GND
7,5
mm
Kriechstrecke
creeping distance
Pin-Erde
Pin-GND
10
mm
Transiente Thermische Eigenschaften / Transient Thermal properties
r
i
[K/W]
1
9,025E-02
2
1,403E-01
3
3,612E-01
4
2,031E-01
2,820E-02
1,128E-01
2,558E-01
8,101E-02
1,294E-01
7,662E-01
IGBT-Wechselrichter
IGBT-Inverter
Diode-Wechselrichter
Diode-Inverter
r
i
[K/W]
τ
i
[s]
τ
i
[s]
2,820E-01
3,429E-02
2,345E-03
3,333E-03
1,375E-01
8,880E-01
4(11)
DB-PIM-IGBT3_2Serie.xls
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FP25R12KS4CV2 IGBT Module
FP30D250E Industrial Control IC
FP30L100E Industrial Control IC
FP3W90HVX2 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-247AC
FP4050 2-WATT POWER PHEMT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FP25R12KS4C 功能描述:IGBT 晶體管 1200V 25A PIM RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
FP25R12KS4CV2 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:IGBT Module
FP25R12KT3 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 40A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FP25R12KT4 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 1200V 25A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FP25R12KT4_B15 功能描述:IGBT 模塊 IGBT Module 25A 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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