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參數(shù)資料
| 型號： | CXK79M36C160GB-33 |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 512K X 36 STANDARD SRAM, 1.8 ns, PBGA209 |
| 封裝： | 14 X 22 MM, 1 MM PITCH, PLASTIC, BGA-209 |
| 文件頁數(shù)： | 2/28頁 |
| 文件大?。?/td> | 493K |
| 代理商： | CXK79M36C160GB-33 |
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SONY
ΣRAM
CXK79M72C160GB / CXK79M36C160GB
Preliminary
18Mb 1x1Lp, HSTL, rev 1.1
10 / 28
November 8, 2002
DC Recommended Operating Conditions
(VSS =0V, TA =0 to 85
oC)
1. The peak-to-peak AC component superimposed on VREF may not exceed 5% of the DC component.
2. VIH (max) AC = VDDQ + 0.9V for pulse widths less than one-quarter of the cycle time (tCYC/4).
3. VIL (min) AC = -0.9V for pulse widths less than one-quarter of the cycle time (tCYC/4).
Parameter
Symbol
Min
Typ
Max
Units
Notes
Supply Voltage
VDD
1.7
1.8
1.95
V
Output Supply Voltage
VDDQ
1.4
---
VDD
V
Input Reference Voltage
VREF
VDDQ/2 - 0.1
VDDQ/2
VDDQ/2 + 0.1
V
1
Input High Voltage (Address, Control, Data)
VIH
VREF +0.2
---
VDDQ +0.3
V
2
Input Low Voltage (Address, Control, Data)
VIL
-0.3
---
VREF -0.2
V
3
Input High Voltage (EP2, EP3, MCH)
VMIH
VREF +0.3
---
VDD +0.3
V
Input Low Voltage (EP2, EP3, MCL)
VMIL
-0.3
---
VREF -0.3
V
Clock Input Signal Voltage
VKIN
-0.3
---
VDDQ +0.3
V
2,3
Clock Input Differential Voltage
VDIF
0.4
---
VDDQ +0.6
V
Clock Input Common Mode Voltage
VCM
VDDQ/2 - 0.1
VDDQ/2
VDDQ/2 + 0.1
V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CXO-205-66.6666MHZ | CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 66.6666 MHz, HCMOS OUTPUT |
| CXO-63GTS2C-FREQ-OUT26 | CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 80 MHz - 135 MHz, ACMOS/TTL OUTPUT |
| CXO/IFREQ | CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 0.614 MHz - 70 MHz, HCMOS/TTL OUTPUT |
| CXO/IL40.0MHZ | CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 40 MHz, HCMOS/TTL OUTPUT |
| CXO/ILTFREQ | CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 0.614 MHz - 70 MHz, HCMOS/TTL OUTPUT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CXK79M36C161GB | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:MEMORY-SigmaRAM 16Meg 1x1 LVCMOS I/O (512K x 36) (27 pages 364K Rev. 7/6/01) |
| CXK79M36C162GB | 制造商:SONY 制造商全稱:Sony Corporation 功能描述:18Mb 1x2Lp HSTL High Speed Synchronous SRAMs (512Kb x 36) |
| CXK79M36C162GB-33 | 制造商:SONY 制造商全稱:Sony Corporation 功能描述:18Mb 1x2Lp HSTL High Speed Synchronous SRAMs (512Kb x 36) |
| CXK79M36C162GB-4 | 制造商:SONY 制造商全稱:Sony Corporation 功能描述:18Mb 1x2Lp HSTL High Speed Synchronous SRAMs (512Kb x 36) |
| CXK79M36C162GB-5 | 制造商:SONY 制造商全稱:Sony Corporation 功能描述:18Mb 1x2Lp HSTL High Speed Synchronous SRAMs (512Kb x 36) |
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