參數(shù)資料
型號： C1210
廠商： IMP INC.
英文描述： Process C1210 CMOS 1.2mm Zero Threshold Devices
中文描述： 1.2mm的過程C1210零閾值的CMOS器件
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 35K
代理商： C1210
48
C1210-4-98
Process C1210
Diffusion & Thin Films
Well (field) Sheet Resistance
N+ Sheet Resistance
N+ Junction Depth
P+ Sheet Resistance
P+ Junction Depth
Gate Oxide Thickness
Field Oxide Thickness
Gate Poly Sheet Resistance
Bottom Poly Sheet Res.
Metal-1 Sheet Resistance
Metal-2 Sheet Resistance
Passivation Thickness
Symbol
ρ
N-well(f)
N+
x
jN+
ρ
P+
x
jP+
T
GOX
T
FIELD
ρ
POLY2
ρ
POLY1
ρ
M1
ρ
M2
T
PASS
Minimum
0.6
20
Typical
1.0
35
0.35
75
0.35
24
800
22
35
50
30
200+900
Maximum
1.3
50
Unit
K
/
o
/
o
μ
m
/
o
μ
m
nm
nm
/
o
/
o
m
/
o
m
/
o
nm
Comments
n-well
50
100
15
30
oxide+nit.
Capacitance
Gate Oxide
Metal-1 to Poly-1
Metal-1 to Silicon
Metal-2 to Metal-1
Poly-1 to Poly-2
Symbol
C
OX
C
M1P
C
M1S
C
MM
C
P1P2
Minimum
1.28
Typical
1.38
0.057
Maximum
1.58
Unit
fF/
μ
m
2
fF/
μ
m
2
fF/
μ
m
2
fF/
μ
m
2
fF/
μ
m
2
Comments
0.035
0.86
0.69
1.03
Electrical Characteristics
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