參數(shù)資料
型號： BUK9775-56
廠商： NXP Semiconductors N.V.
英文描述： TrenchMOS（TM）transistor Logic level FET(TrenchMOS（TM）晶體管邏輯電平FET)
中文描述： TrenchMOS（商標）場效應(yīng)晶體管邏輯電平（TrenchMOS（商標）晶體管邏輯電平場效應(yīng)管）
文件頁數(shù)： 5/8頁
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代理商： BUK9775-56
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS
transistor
Logic level FET
BUK9775-55
Fig.7. Typical transfer characteristics.
I
D
= f(V
GS
); conditions: V
DS
= 25 V; parameter T
j
Fig.8. Typical transconductance, T
= 25 C
g
fs
= f(I
D
); conditions: V
DS
= 25 V
Fig.9. Normalised drain-source on-state resistance.
a = R
DS(ON)
/R
DS(ON)25 C
= f(T
j
); I
D
= 10 A; V
GS
= 5 V
Fig.10. Gate threshold voltage.
V
GS(TO)
= f(T
j
); conditions: I
D
= 1 mA; V
DS
= V
GS
Fig.11. Sub-threshold drain current.
I
D
= f(V
GS)
; conditions: T
j
= 25 C; V
DS
= V
GS
Fig.12. Typical capacitances, C
, C
, C
.
C = f(V
DS
); conditions: V
GS
= 0 V; f = 1 MHz
0
1
2
3
4
5
0
5
10
15
20
25
ID/A
VGS/V
Tj/C =
150
25
BUK98xx-55
-100
-50
0
50
100
150
200
0
0.5
1
1.5
2
2.5
Tj / C
VGS(TO) / V
max.
typ.
min.
0
5
10
15
20
25
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15Transconductance, gfs (S)
Drain current, ID (A)
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
1E-05
1E-05
1E-04
1E-03
1E-02
1E-01
Sub-Threshold Conduction
2%
typ
98%
BUK98XX-55
-100
-50
0
50
100
150
200
0.5
1
1.5
2
2.5
Tmb / degC
Rds(on) normalised to 25degC
a
Ciss
Coss
Crss
T
VDS/V
0.01
0.1
1
10
100
0
.1
.2
.3
.4
.5
.6
.7
.8
.9
1
April 1998
5
Rev 1.000
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUK9840-56 TrenchMOS（TM）transistor Logic level FET(TrenchMOS（TM）晶體管邏輯電平FET)
BUK9907-40ATC TrenchPLUS logic level FET
BUK993-60A TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 18A I(D) | SOT-263
BUK995-60A TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 34A I(D) | SOT-263
BUK9L06-55B TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-220AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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