參數(shù)資料
型號(hào)： BUK9775-56
廠商： NXP Semiconductors N.V.
英文描述： TrenchMOS（TM）transistor Logic level FET(TrenchMOS（TM）晶體管邏輯電平FET)
中文描述： TrenchMOS（商標(biāo)）場(chǎng)效應(yīng)晶體管邏輯電平（TrenchMOS（商標(biāo)）晶體管邏輯電平場(chǎng)效應(yīng)管）
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大小： 68K
代理商： BUK9775-56
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS
transistor
Logic level FET
BUK9775-55
STATIC CHARACTERISTICS
T
j
= 25C unless otherwise specified
SYMBOL
PARAMETER
V
(BR)DSS
Drain-source breakdown
voltage
V
GS(TO)
Gate threshold voltage
CONDITIONS
V
GS
= 0 V; I
D
= 0.25 mA;
MIN.
55
50
1
0.6
-
-
-
-
-
10
TYP.
-
-
1.5
-
-
0.05
-
0.02
MAX.
-
-
2
-
2.3
10
100
1
5
-
UNIT
V
V
V
V
V
μ
A
μ
A
μ
A
μ
A
V
T
j
= -55C
V
DS
= V
GS
; I
D
= 1 mA
T
j
= 150C
T
j
= -55C
I
DSS
Zero gate voltage drain current
V
DS
= 55 V; V
GS
= 0 V;
T
j
= 150C
I
GSS
Gate source leakage current
V
GS
=
±
5 V; V
DS
= 0 V
T
j
= 150C
±
V
(BR)GSS
Gate-source breakdown
voltage
Drain-source on-state
resistance
I
G
=
±
1 mA;
-
R
DS(ON)
V
GS
= 5 V; I
D
= 7 A
-
-
58
-
75
139
m
m
T
j
= 150C
DYNAMIC CHARACTERISTICS
T
mb
= 25C unless otherwise specified
SYMBOL
PARAMETER
g
fs
Forward transconductance
C
iss
Input capacitance
C
oss
Output capacitance
C
rss
Feedback capacitance
t
d on
Turn-on delay time
t
r
Turn-on rise time
t
d off
Turn-off delay time
t
f
Turn-off fall time
L
d
Internal drain inductance
CONDITIONS
V
DS
= 25 V; I
D
= 10 A
V
GS
= 0 V; V
DS
= 25 V; f = 1 MHz
MIN.
5
-
-
-
-
-
-
-
-
TYP.
10
500
110
60
10
47
28
33
4.5
MAX.
-
650
135
85
15
70
40
45
-
UNIT
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nH
V
DD
= 30 V; I
D
= 10 A;
V
= 5 V; R
= 10
Resistive load
Measured from drain lead 6 mm
from package to centre of die
Measured from source lead 6 mm
from package to source bond pad
L
s
Internal source inductance
-
7.5
-
nH
ISOLATION LIMITING VALUE AND CHARACTERISTICS
T
j
= 25C unless otherwise specified
SYMBOL
PARAMETER
V
ISOL
R.M.S isolation voltage from all
three terminals to external
heatsink
C
ISOL
Capacitance from T2 to
external heatsink
CONDITIONS
f = 50-60Hz; sinusoidal waveform;
R.H.
≤
65% clean & dustfree
MIN.
-
TYP.
-
MAX.
2500
UNIT
V
f = 1 MHZ
-
10
-
pF
April 1998
2
Rev 1.000
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUK9840-56 TrenchMOS（TM）transistor Logic level FET(TrenchMOS（TM）晶體管邏輯電平FET)
BUK9907-40ATC TrenchPLUS logic level FET
BUK993-60A TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 18A I(D) | SOT-263
BUK995-60A TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 34A I(D) | SOT-263
BUK9L06-55B TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-220AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BUK98150-55 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:TrenchMOS transistor Logic level FET
BUK98150-55 /T3 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK98150-55,135 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK98150-55/CUF 功能描述:MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:5.5A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:330pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:8.3W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:150 毫歐 @ 5A，5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:SOT-223 封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
BUK98150-55A 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N CH 55V 5.5A SOT223 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, N CH 55V 5.5A SOT223
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