- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄369569 > BUK995-60A TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 34A I(D) | SOT-263 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | BUK995-60A |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 34A I(D) | SOT-263 |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 60V的五（巴西）直| 34A條（?。﹟的SOT - 263 |
| 文件頁數(shù)： | 1/15頁 |
| 文件大?。?/td> | 355K |
| 代理商： | BUK995-60A |
BUK9907-40ATC
TrenchPLUS logic level FET
Rev. 01 — 28 January 2002
Product data
M3D745
1.
Description
N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package using
TrenchMOS technology, featuring very low on-state resistance and TrenchPLUS
diodes for clamping, ElectroStatic Discharge (ESD) protection and temperature
sensing.
Product availability:
BUK9907-40ATC in SOT263B.
2.
Features
I
Typical on-state resistance 5.8 m
I
Q101 compliant
I
ESD and overvoltage protection
I
Monolithically integrated temperature sensor for overload protection.
3.
Applications
I
Automotive and power switching:
N
12 V and 24 V high power motor drives (e.g. Electrical Power Assisted
Steering (EPAS))
N
Protected drive for lamps.
4.
Pinning information
Table 1:
Pin
1
2
3
4
5
mb
Pinning - SOT263B simplified outline and symbol
Description
gate (g)
anode (a)
drain (d)
cathode (k)
source (s)
mounting base;
connected to drain (d)
Simplified outline
Symbol
SOT263B
1
5
mb
MBL263
MBL306
d
a
s
k
g
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BUK9L06-55B | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-220AB |
| BUL1102EFP | HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR |
| BUL118D | BJT |
| BUL1203EFP | HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR |
| BUL128D-A | TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-220AB |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BUK9C07-65BIT,118 | 功能描述:MOSFET N-CH DPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:* 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):停產(chǎn) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-7，DPak（6 引線 + 接片） 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,500 |
| BUK9C1R3-40EJ | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N-CH 40V D2PAK |
| BUK9C2R2-60EJ | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:BUK9C2R2-60E/D2PAK/REEL13// - Tape and Reel |
| BUK9C3R8-80EJ | 功能描述:MOSFET N-CH 80V D2PAK 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:- 工作溫度:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-7，D2Pak（6 引線+接片），TO-263CB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK-7 標(biāo)準(zhǔn)包裝:800 |
| BUK9C5R3-100EJ | 功能描述:MOSFET N-CH 100V D2PAK 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:- 工作溫度:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-7，D2Pak（6 引線+接片），TO-263CB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK-7 標(biāo)準(zhǔn)包裝:800 |
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