參數(shù)資料
型號： BUK9L06-55B
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-220AB
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 55V的五（巴西）直| 75A條（?。﹟ TO - 220AB現(xiàn)有
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文件大小： 294K
代理商： BUK9L06-55B
BUK9L06-55B
TrenchMOS logic level FET
Rev. 01 — 13 August 2002
Product data
M3D794
1.
Product profile
1.1 Description
N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package using
Philips High-Performance Automotive TrenchMOS technology, featuring very low
on-state resistance.
Product availability:
BUK9L06-55B in SOT78C (TO-220AB).
1.2 Features
1.3 Applications
1.4 Quick reference data
I
TrenchMOS technology
I
175
°
C rated
I
Q101 compliant
I
Logic level compatible.
I
Automotive systems
I
Motors, lamps and solenoids
I
12 V and 24 V loads
I
General purpose power switching.
Table 1:
Symbol Parameter
V
DS
drain-source voltage (DC)
I
D
drain current (DC)
P
tot
total power dissipation
T
j
junction temperature
R
DSon
drain-source on-state resistance
Quick reference data
Conditions
Typ
-
-
-
-
5.1
-
4.8
Max
55
139
234
175
6.0
6.4
5.4
Unit
V
A
W
°
C
m
m
m
T
mb
= 25
°
C; V
GS
= 5 V
T
mb
= 25
°
C
T
j
= 25
°
C; V
GS
= 5 V; I
D
= 25 A
T
j
= 25
°
C; V
GS
= 4.5 V; I
D
= 25 A
T
j
= 25
°
C; V
GS
= 10 V; I
D
= 25 A
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PDF描述
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參數(shù)描述
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BUK9M120-100EX 功能描述:MOSFET N-CH 100V 11.5A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:11.5A（Tc） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.05V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:8.8nC @ 5V Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:882pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:44W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:119 毫歐 @ 5A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:LFPAK33 封裝/外殼:SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引線） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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