參數(shù)資料
型號(hào)： BUK9L06-55B
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-220AB
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 55V的五（巴西）直| 75A條（?。﹟ TO - 220AB現(xiàn)有
文件頁(yè)數(shù)： 5/13頁(yè)
文件大小： 294K
代理商： BUK9L06-55B
Philips Semiconductors
BUK9L06-55B
TrenchMOS logic level FET
Product data
Rev. 01 — 13 August 2002
5 of 13
9397 750 09953
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2002. All rights reserved.
5.
Characteristics
Table 5:
T
j
= 25
°
C unless otherwise specified
Symbol
Parameter
Static characteristics
V
(BR)DSS
drain-source breakdown
voltage
Characteristics
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
I
D
= 0.25 mA; V
GS
= 0 V
T
j
= 25
°
C
T
j
=
55
°
C
55
50
-
-
-
V
V
V
GS(th)
gate-source threshold voltage I
D
= 1 mA; V
DS
= V
GS
;
Figure 9
T
j
= 25
°
C
T
j
= 175
°
C
T
j
=
55
°
C
V
DS
= 55 V; V
GS
= 0 V
T
j
= 25
°
C
T
j
= 175
°
C
V
GS
=
±
10 V; V
DS
= 0 V
V
GS
= 5 V; I
D
= 25 A;
Figure 7
and
8
T
j
= 25
°
C
T
j
= 175
°
C
V
GS
= 4.5 V; I
D
= 25 A
V
GS
= 10 V; I
D
= 25 A
1.1
0.5
-
1.5
-
-
2
-
2.3
V
V
V
I
DSS
drain-source leakage current
-
-
-
0.02
-
2
1
500
100
μ
A
μ
A
nA
I
GSS
R
DSon
gate-source leakage current
drain-source on-state
resistance
-
-
-
-
5.1
-
-
4.8
6.0
12
6.4
5.4
m
m
m
m
Dynamic characteristics
Q
g(tot)
total gate charge
Q
gs
gate-to-source charge
Q
gd
gate-to-drain (Miller) charge
C
iss
input capacitance
C
oss
output capacitance
C
rss
reverse transfer capacitance
t
d(on)
turn-on delay time
t
r
rise time
t
d(off)
turn-off delay time
t
f
fall time
L
d
internal drain inductance
V
GS
= 5 V; V
DD
= 44 V;
I
D
= 25 A;
Figure 14
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
60
11
22
5674
755
255
37
95
177
106
4.5
-
-
-
7565
906
349
-
-
-
-
-
nC
nC
nC
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nH
V
GS
= 0 V; V
DS
= 25 V;
f = 1 MHz;
Figure 12
V
DD
= 30 V; R
L
= 1.2
;
V
GS
= 5 V; R
G
= 10
from drain lead 6 mm from
package to centre of die
from contact screw on
mounting base to centre of
die SOT78C
from source lead to source
bond pad
-
3.5
-
nH
L
s
internal source inductance
-
7.5
-
nH
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PDF描述
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BUK9M11-40EX 功能描述:MOSFET 2N-CH 40V MLFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級(jí)，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:53A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:13.4nC @ 5V Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:1721pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:62W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:9 毫歐 @ 15A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:LFPAK33 封裝/外殼:SOT-1210，8-LFPAK33 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
BUK9M120-100EX 功能描述:MOSFET N-CH 100V 11.5A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級(jí)，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:11.5A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.05V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:8.8nC @ 5V Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:882pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:44W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:119 毫歐 @ 5A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:LFPAK33 封裝/外殼:SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引線） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
BUK9M12-60EX 功能描述:MOSFET N-CH 60V 54A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級(jí)，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:54A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:2769pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:79W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:11 毫歐 @ 15A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:LFPAK33 封裝/外殼:SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引線） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
BUK9M14-40EX 功能描述:MOSFET N-CH 40V 44A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級(jí)，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:44A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:11.3nC @ 5V Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:1211pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:55W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:11 毫歐 @ 15A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:LFPAK33 封裝/外殼:SOT-1210，8-LFPAK33 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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