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參數(shù)資料
| 型號： | BUK9L06-55B |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-220AB |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 55V的五（巴西）直| 75A條（?。﹟ TO - 220AB現(xiàn)有 |
| 文件頁數(shù)： | 7/13頁 |
| 文件大?。?/td> | 294K |
| 代理商： | BUK9L06-55B |
Philips Semiconductors
BUK9L06-55B
TrenchMOS logic level FET
Product data
Rev. 01 — 13 August 2002
7 of 13
9397 750 09953
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2002. All rights reserved.
T
j
= 25
°
C; t
p
= 300
μ
s
Fig 5.
Output characteristics: drain current as a
function of drain-source voltage; typical values.
T
j
= 25
°
C; I
D
= 25 A
Fig 6.
Drain-source on-state resistance as a function
of gate-source voltage; typical values.
T
j
= 25
°
C
Fig 7.
Drain-source on-state resistance as a function
of drain current; typical values.
Fig 8.
Normalized drain-source on-state resistance
factor as a function of junction temperature.
03nj65
0
70
140
210
280
350
0
2
4
6
8
10
VDS (V)
ID
(A)
3.8
3.6
3.4
3.2
3
2.8
2.6
2.4
10
6
4
4.2
5
label is VGS (V)
03nj64
4
5
6
7
3
7
11
15
VGS (V)
RDSon
(m
)
03nj66
2
6
10
14
0
100
200
300
400
ID (A)
RDSon
(m
)
label is VGS (V)
3
3.2
10
5
4
3.4
03ne89
0
0.5
1
1.5
2
-60
0
60
120
180
Tj (
°
C)
a
a
R
R
DSon 25 C
)
----------------------------
=
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PDF描述 |
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