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參數(shù)資料
| 型號： | BUK9840-56 |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 英文描述： | TrenchMOS（TM）transistor Logic level FET(TrenchMOS（TM）晶體管邏輯電平FET) |
| 中文描述： | TrenchMOS（商標(biāo)）場效應(yīng)晶體管邏輯電平（TrenchMOS（商標(biāo)）晶體管邏輯電平場效應(yīng)管） |
| 文件頁數(shù)： | 1/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 73K |
| 代理商： | BUK9840-56 |
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS
transistor
Logic level FET
BUK9840-55
GENERAL DESCRIPTION
QUICK REFERENCE DATA
N-channel enhancement mode logic
level field-effect power transistor in a
plastic envelope suitable for surface
mounting. The device features very
low on-state resistance and has
integral zener diodes giving ESD
protection. It is intended for use in
automotive and general purpose
switching applications.
SYMBOL
PARAMETER
MAX.
UNIT
V
DS
I
D
P
tot
T
j
R
DS(ON)
Drain-source voltage
Drain current
Total power dissipation
Junction temperature
Drain-source on-state
resistance
55
10.7
1.8
150
40
V
A
W
C
m
V
GS
= 5 V
PINNING - SOT223
PIN CONFIGURATION
SYMBOL
PIN
DESCRIPTION
1
gate
2
drain
3
source
4
drain (tab)
LIMITING VALUES
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)
SYMBOL
V
DS
V
DGR
±
V
GS
I
D
I
D
PARAMETER
Drain-source voltage
Drain-gate voltage
Gate-source voltage
Drain current (DC)
Drain current (DC)
CONDITIONS
-
R
GS
= 20 k
-
T
= 25 C
On PCB in Fig.19
T
= 25 C
On PCB in Fig.19
T
amb
= 100 C
T
sp
= 25 C
T
= 25 C
On PCB in Fig.19
T
amb
= 25 C
-
MIN.
-
-
-
-
-
MAX.
55
55
10
10.7
5
UNIT
V
V
V
A
A
I
D
Drain current (DC)
-
3.1
A
I
DM
P
tot
P
tot
Drain current (pulse peak value)
Total power dissipation
Total power dissipation
-
-
-
40
8.3
1.8
A
W
W
T
stg
, T
j
Storage & operating temperature
- 55
150
C
ESD LIMITING VALUE
SYMBOL
V
C
PARAMETER
Electrostatic discharge capacitor
voltage
CONDITIONS
Human body model
(100 pF, 1.5 k
)
MIN.
-
MAX.
2
UNIT
kV
d
g
s
4
1
2
3
January 1998
1
Rev 1.000
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BUK9907-40ATC | TrenchPLUS logic level FET |
| BUK993-60A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 18A I(D) | SOT-263 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| BUK9875-100A,115 | 功能描述:MOSFET TAPE-7 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| BUK9875-100A/CUX | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 7A SOT223 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:7A（Tc） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:1690pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:8W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:72 毫歐 @ 8A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:SOT-223 封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| BUK9875-100A115 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Tape & Reel |
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