參數(shù)資料
型號： BUJ103AU
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Silicon Diffused Power Transistor(硅擴(kuò)散功率型晶體管)
中文描述： 4 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-251
封裝： PLASTIC, IPAK-3
文件頁數(shù)： 6/8頁
文件大?。?/td> 84K
代理商： BUJ103AU
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
BUJ103AU
Fig.18. Forward bias safe operating area. T
hs
≤
25 C
(1)
(2)
I
II
III
P
max and P
peak max lines.
Second breakdown limits.
Region of permissible DC operation.
Extension for repetitive pulse operation.
Extension during turn-on in single
transistor converters provided that
R
≤
100
and t
≤
0.6
μ
s.
Mounted with heatsink compound and
30
±
5 newton force on the centre of the
envelope.
NB:
1
10
VCEclamp (V)
100
1,000
0.001
0.01
0.1
1
10
100
IC (A)
Icm max
Ic max
I
II
III
(1)
(2)
Duty Cycle = 0.01
tp =
20us
50us
100us
200us
500us
DC
October 1999
6
Rev 1.100
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PDF描述
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