參數(shù)資料
型號： BUJ103AU
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Silicon Diffused Power Transistor(硅擴散功率型晶體管)
中文描述： 4 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-251
封裝： PLASTIC, IPAK-3
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大小： 84K
代理商： BUJ103AU
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
BUJ103AU
Fig.7. Normalised power dissipation.
PD% = 100
PD/PD
25C
= f (T
mb
)
Fig.8. Typical DC current gain. h
FE
= f(I
C
)
parameter V
CE
Fig.9. Typical DC current gain. h
FE
= f(I
C
)
parameter V
CE
Fig.10. Collector-Emitter saturation voltage.
Solid lines = typ values, VCEsat = f(IB); Tj=25C
Fig.11. Base-Emitter saturation voltage.
Solid lines = typ values, V
BEsat
= f(IC).
Fig.12. Collector-Emitter saturation voltage.
Solid lines = typ values, V
CEsat
= f(IC).
0
20
40
60
80
100
120
140
Tmb / C
PD%
Normalised Power Derating
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
0.01
0.10
1.00
10.00
IB/A
VCEsat/V
IC=1A
2A
3A
4A
0.01
0.05
0.1
0.5
1
2
3
5
10
2
5
10
15
20
30
50
IC/A
HFE
VCE = 1V
100C
-40C
25C
0.1
0.2
0.3
0.5
1
2
3
5
10
0.6
0.8
1
1.2
1.4
IC/A
VBEsat/V
IC/IB = 4
25C
100C
-40C
0.01
0.05
0.1
0.5
1
2
3
5
10
2
5
10
15
20
30
50
IC/A
HFE
VCE = 5V
100C
25C
-40C
0.5
2
5
0
0.2
0.4
0.6
0.8
IC/A
VCEsat/V
IC/IB = 4
100C
-40C
25C
October 1999
4
Rev 1.100
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PDF描述
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