參數(shù)資料
型號(hào)： BUJ103AU
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Silicon Diffused Power Transistor(硅擴(kuò)散功率型晶體管)
中文描述： 4 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-251
封裝： PLASTIC, IPAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 5/8頁(yè)
文件大小： 84K
代理商： BUJ103AU
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
BUJ103AU
Fig.13. Transient thermal impedance.
Z
th j-mb
= f(t); parameter D = t
p
/T
Fig.14. Resistive Switching.
ton,toff = f(IC).
Fig.15. Inductive switching.
ton, toff = f(IC)
Fig.16. Test Circuit for reverse
bias safe operating
area.
V
cl
≤
700V; V
cc
= 150V; V
BB
= -5V; L
B
= 1
μ
H; L
c
=
200
μ
H
Fig.17. Reverse
bias safe operating area T
j
≤
T
jmax
10us
1ms
t / s
0.1s
10ms
Zth j-mb / (K/W)
10
1
0.1
0.01
0
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
D =
t
p
t
p
T
T
P
t
D
D=
LB
IBon
-VBB
LC
T.U.T.
VCC
PROBE POINT
VCL(RBSOAR)
1
2
3
4
5
6
100
200
300
500
1,000
2,000
3,000
5,000
10,000
IC/A
ton/toff (ns)
ton
toff
100C
25C
IC/IB = 5
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
VCEclamp (V)
IC (A)
VBE=-5V
1
2
3
4
5
6
10
20
50
100
200
500
1,000
2,000
5,000
IC/A
tfi/tsi (ns)
IC/IB = 5
tsi
tfi
100C
25C
October 1999
5
Rev 1.100
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