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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BTS282-Z |
| 元件分類： | TVS-瞬態(tài)抑制二極管 |
| 英文描述： | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| 中文描述： | ？N通道高速TEMPFET？ |
| 文件頁數(shù)： | 8/12頁 |
| 文件大小： | 270K |
| 代理商： | BTS282-Z |
2000-09-11
8
BTS 282 Z
5 Safe operating area
I
D
=f(V
DS
);
D
=0.01;
T
C
=25°C;
V
GS
=4.5V
10
0
10
1
10
2
V
V
DS
0
10
1
10
2
10
3
10
A
I
D
30μs
Rdson=Vds/Id
DC
100ms
10ms
1ms
100μs
6 Typ. output characteristic
I
D
= f(V
DS
);
T
j
=25°C
Parameter: V
GS
0
1
2
V
4
V
DS
0
20
40
60
80
100
120
140
160
A
200
I
D
3V
3.5V
4V
4.5V
5V
6V
7V
10V
7 On-state resistance
R
ON
= f(T
j
);
I
D
=36A;
V
GS
= 4.5V
-50
-25
0
25
50
75
100 125
°C
175
T
j
0
2
4
6
8
10
12
14
16
m
20
R
D
typ.
max.
8 On-state resistance
R
ON
= f(T
j
);
I
D
=36A;
V
GS
= 10V
-50
-25
0
25
50
75
100 125
°C
175
T
j
0
2
4
6
8
10
m
14
R
D
typ.
max.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BTS306E3043 | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| BTS306E3062A | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| BTS307E3062 | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| BTS308E3043 | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| BTS308E3062 | Transient Voltage Suppressor Diodes |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BTS282Z E3180A | 功能描述:MOSFET TEMPFET 49V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| BTS282Z E3230 | 功能描述:MOSFET TEMPFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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| BTS282ZAKSA1 | 功能描述:MOSFET TEMPFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| BTS282ZE3180A | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:TEMPFET - Bulk |
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