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參數(shù)資料
| 型號： | BTS282-Z |
| 元件分類： | TVS-瞬態(tài)抑制二極管 |
| 英文描述： | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| 中文描述： | ？N通道高速TEMPFET？ |
| 文件頁數(shù)： | 10/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 270K |
| 代理商： | BTS282-Z |
2000-09-11
10
BTS 282 Z
13 Typ. gate charge
V
GS
= f(
Q
Gate
)
Parameter:
I
D puls
= 80 A
BTS 282 Z
0
40
80
120
160
nC
240
Q
Gate
0
2
4
6
8
10
12
V
16
V
G
0,8
V
DS max
DS max
V
0,2
14 Drain-source break down voltage
V
(BR)DSS
= f(
T
j
)
-50
-25
0
25
50
75
100 125
°C
175
T
j
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
V
58
V
(
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BTS306E3043 | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| BTS306E3062A | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| BTS307E3062 | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| BTS308E3043 | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| BTS308E3062 | Transient Voltage Suppressor Diodes |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BTS282Z E3180A | 功能描述:MOSFET TEMPFET 49V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| BTS282Z E3230 | 功能描述:MOSFET TEMPFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| BTS282Z_09 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:Speed TEMPFET |
| BTS282ZAKSA1 | 功能描述:MOSFET TEMPFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| BTS282ZE3180A | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:TEMPFET - Bulk |
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