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參數(shù)資料
| 型號： | BTS282-Z |
| 元件分類： | TVS-瞬態(tài)抑制二極管 |
| 英文描述： | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| 中文描述： | ？N通道高速TEMPFET？ |
| 文件頁數(shù)： | 11/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 270K |
| 代理商： | BTS282-Z |
2000-09-11
11
BTS 282 Z
Package
P-TO220-7-3
Ordering Code
Q67060-S6004-A2
Package
P-TO220-7-180
Ordering Code
Q67060-S6005-A2
3.7
9.5
9.9
1
2
1
0.5
2.4
9
1.3
4.4
0.6
1.27
1.27
3.9
8.4
GPT05167
3
1
8
1)
1) shear and punch direction no burrs this surface
6 x
7.62
=
1.27
0.6
6 x 1.27 = 7.62
0.25 M
1
8
9.9
0.1
2.4
4.4
1
9
0.5
1)
±
+0.1
-0.03
A B
-0.02
1.3
+0.1
±
3
±
+0.15
6.6
7.5
6
(
B
A
(
0.05
0.1 B
0 ... 0.15
5
+3
1) Shear and punch direction no burrs this surface
Back side, heatsink contour
All metal surfaces tin plated, except area of cut
Package
P-TO220-7-230
Ordering Code
Q67060-S6007
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| BTS306E3043 | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| BTS306E3062A | Transient Voltage Suppressor Diodes |
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| BTS308E3043 | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| BTS308E3062 | Transient Voltage Suppressor Diodes |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BTS282Z E3180A | 功能描述:MOSFET TEMPFET 49V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| BTS282Z E3230 | 功能描述:MOSFET TEMPFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| BTS282Z_09 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:Speed TEMPFET |
| BTS282ZAKSA1 | 功能描述:MOSFET TEMPFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| BTS282ZE3180A | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:TEMPFET - Bulk |
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